L'eterogiunzione (HJT, Heterojunction Technology, nota anche come HIT) è una tecnologia di cella che riveste un wafer di silicio cristallino su entrambi i lati con sottili strati di silicio amorfo, passivando la superficie in modo molto più efficace del contatto diffuso tradizionale: la struttura è nativamente simmetrica, il che la rende adatta alla produzione bifacciale senza modifiche aggiuntive.
Cosa la distingue davvero da TOPCon?
Il coefficiente di temperatura: un pannello REC Alpha Pure-R, modello HJT di riferimento, dichiara -0,24%/°C — la potenza scende meno, a parità di caldo sul tetto, rispetto ai -0,34/-0,35%/°C tipici di PERC e TOPCon. Su un tetto italiano, dove le celle possono superare facilmente i 50-60°C in estate, questa differenza si traduce in produzione reale, non solo in un numero di scheda tecnica. La struttura simmetrica dell'HJT la rende inoltre nativamente adatta al bifacciale, senza bisogno di una linea di produzione dedicata a quello scopo.
Perché non è la scelta più diffusa, se è la migliore?
Perché costa di più produrla: il processo richiede impianti dedicati, non un aggiornamento delle linee PERC/TOPCon esistenti come accade per il concorrente più diretto. Per questo l'adozione industriale su scala di gigawatt resta più lenta, nonostante le prestazioni migliori. I nomi storicamente associati a questa tecnologia sono REC Group — vedi la scheda del suo modello Alpha Pure-R — e Panasonic, che ne detiene il brevetto originario (HIT, Heterojunction with Intrinsic Thin-layer).